金属表面处理及其局限性芯片材料如si、gaas以及陶瓷基板材料如a12o3、beo、ain等的热膨胀系数(cte)介于3×10-6-7×10-6k-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数，减少或避免热应力的产生；---都有al2o3弥散强化无氧高导铜产品，镀锡金属表面处理，如美国scm金属制品公司的glidcop含有99．7％的铜和0．3％弥散分布的al2o3。加入al2o3后，热导率稍有减少，为365w(m-1k-1)，电阻率略有增加，为1．85μω·cm，但屈服强度得到明显增加。可伐可伐合金(fe-29ni-17co，牌号4j29)的cte与si、gaas以及al2o3、beo、ain的cte较为接近，镀镍金属表面处理，具有---的焊接性、加工性，能与硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金属封装中得到广泛的使用。但由于其热导率低，电阻率高，密度也较大，使其广泛应用受到了很大---。
金属表面处理方法
pvd真空镀
全称物理气相沉积，是一种工业制造上的工艺，武汉金属表面处理，是主要利用物理过程来沉积薄膜的技术。
工艺流程:
pvd前清洗***进炉抽真空***洗靶及离子清洗***镀膜***镀膜结束，冷却出炉***后处理（抛光、afp）
技术特点:
pvd（physical vapor deition，物理气相沉积) 可以在金属表面镀覆高硬镀、高耐磨性的金属陶瓷装饰镀层
传统金属封装材料及其局限性芯片材料如si、gaas以及陶瓷基板材料如a12o3、beo、ain等的热膨胀系数(cte)介于3×10-6-7×10-6k-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数，镀铜金属表面处理，减少或避免热应力的产生；但密度大也使cu／w具有对空间辐射总剂量(tid)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是cu／w的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了cu／w及cu／mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。金属封装外壳cnc与压铸结合就是先压铸再利用cnc精加工。工艺优缺点：cnc工艺的成本比较高，材料浪费也比较多，当然这种工艺下的中框或外壳也好一些。
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