金属表面处理方法
pvd真空镀
全称物理气相沉积，是一种工业制造上的工艺，是主要利用物理过程来沉积薄膜的技术。
工艺流程:
pvd前清洗***进炉抽真空***洗靶及离子清洗***镀膜***镀膜结束，冷却出炉***后处理（抛光、afp）
技术特点:
pvd（physical vapor deition，物理气相沉积) 可以在金属表面镀覆高硬镀、高耐磨性的金属陶瓷装饰镀层
金属表面处理这些材料具有高的导电、导热性能，同时融合w、mo的低cte、高硬度特性。cu／w及cu／mo的cte可以根据组元相对含量的变化进行调整，可以用作封装底座、热沉，还可以用作散热片。+金属基复合材料金属封装是采用金属作为壳体或底座，芯片直接或通过基板安装在外壳或底座上，引线穿过金属壳体或底座大多采用玻璃—金属封接技术的一种电子封装形式。它广泛用于混合电路的封装，主要是和定制的---气密封装，在许多领域，尤其是在---及航空航天领域得到了广泛的应用。+铜、铝纯铜也称之为无氧高导铜(ofhc)，电阻率1．72μω·cm，仅次于银。它的热导率为401w(m-1k-1)，电子类金属表面处理，从传热的角度看，作为封装壳体是非常理想的，可以使用在需要高热导和／或高电导的封装里，然而，它的cte---16．5×10-6k-1，可以在刚性粘接的陶瓷基板上造成很大的热应力。
虽然金属表面处理---铜类似的方法可以被采用以解决这个问题，但铜和铝的芯片，所述衬底的---的热失配，金属表面处理公司，所述封装的热设计了很大的困难影响它们的广泛使用。 1.2钨，钼（mo）具有5.35×10-6k-1的cte，和铁镍钴合金和al2o3匹配时，它的热导率非常高，为138 w（mk-1），北京金属表面处理，正如经常气密封装基座和侧壁焊接在一起可伐，在许多包所使用的金属，所述高功率密度+的cu / w和cu /沫以减少铜cte可以更小和铜的材料例如mo，w等的cte值的复合物，以得到铜/ w和cu /钼金属 - 金属复合材料。这些材料具有高的导电性，导热性，同时整合钨，钼的低cte，高硬度特性。的cu / w和cu /沫cte可以根据组分的相对含量的变化进行调整，可以用作封装基座，散热器也可以用作散热片。 +形式的金属包装，加工柔性的，和特定组件（例如，金属表面处理价格，混合集成a / d或d / a转换器）为一体的，对于低i / o芯片和多用途单芯片的数量，但也它适用于rf，微波，光，声表面波器件和高功率，小批量满足高---性要求。
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